三星電子2027年將引入晶圓代工技術，推出兩種新工藝節(jié)點，加強跨越人工智能（AI）芯片研發(fā)、代工生產、組裝全流程的AI芯片生產“一站式”服務。
三星電子12日在美國硅谷舉行“2024年三星代工論壇”，公布了涵蓋上述內容的半導體技術戰(zhàn)略。三星電子正通過封裝晶圓代工非內存半導體和高帶寬內存（HBM）的集成AI解決方案致力于研制高性能、低能耗的AI芯片產品。據此，與現(xiàn)有工藝相比，從研發(fā)到生產的耗時可縮減約20%。
值得關注的是，三星電子計劃引進晶圓代工技術進一步強化AI芯片生產水平。具體來看，三星2027年將在2納米工藝中采用背面供電網絡（BSPDN）技術（制程節(jié)點SF2Z）。該技術可將芯片的供電網絡轉移至晶圓背面，與信號電路分離，從而簡化供電路徑，降低供電電路對互聯(lián)信號電路的干擾。若在2納米工藝中采用該技術，不僅能提高功率、性能和面積等參數(shù)，還可以顯著減少電壓降，從而提升高性能計算設計性能。目前尚無實現(xiàn)商業(yè)化的先例。
另外，三星電子2027年還計劃把低能耗且具有高速數(shù)據處理性能的光學元件技術運用于AI解決方案。2025年，三星電子將在4納米工藝中采用“光學收縮”技術（制程節(jié)點SF4U）進行量產，使芯片更小，性能更佳。
三星電子方面表示，AI時代最重要的就是高性能、低能耗芯片，將通過和AI芯片適配度更高的環(huán)繞式柵極工藝（GAA）、光學元件等技術為客戶提供AI時代必要的“一站式”解決方案。
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